品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:7A€20A
输入电容:965pF@50V
阈值电压:4V@250µA
功率:2.3W€41W
导通电阻:24mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:20A€80A
功率:3.6W€55W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:3A
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:77mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG
导通电阻:4.38mΩ@10A,10V
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:860mW
输入电容:1255pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:11.2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLTAG
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:85A
功率:55W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-H
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:1.5W
输入电容:875pF@10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7.5A
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
功率:3.2W€55W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:20A€85A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
功率:83W
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4.5V@1mA
输入电容:730pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":216732,"15+":481087,"18+":3000}
规格型号(MPN):ECH8315-TL-H
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:1.5W
输入电容:875pF@10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7.5A
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:3A
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:77mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-H
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:1.5W
输入电容:875pF@10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7.5A
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4166NT1G
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:900pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:4.9A
导通电阻:22mΩ@4.9A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:7A€20A
输入电容:965pF@50V
阈值电压:4V@250µA
功率:2.3W€41W
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":2593,"20+":2923}
规格型号(MPN):NTHS4166NT1G
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:900pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:4.9A
导通电阻:22mΩ@4.9A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C456NLT1G
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:87A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.6W€55W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86324
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:20A€80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":216732,"15+":481087,"18+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4166NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:11.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:20A€80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:20A€80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4166NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: