品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
阈值电压:4V@370A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
输入电容:6460pF@60V
栅极电荷:82nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3745pF@400V
类型:N沟道
漏源电压:650V
功率:260W
导通电阻:64mΩ@20A,10V
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H01NFT1G
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:5538pF@12V
连续漏极电流:54A€334A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:5780pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
连续漏极电流:41A€230A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
功率:3.13W€96W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
阈值电压:4V@370A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
输入电容:6460pF@60V
栅极电荷:82nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
阈值电压:4V@370A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
输入电容:6460pF@60V
栅极电荷:82nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NT1G
阈值电压:4V@200µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.8W€150W
漏源电压:40V
连续漏极电流:43A€268A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:5340pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5862NT4G
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:6000pF@25V
漏源电压:60V
连续漏极电流:98A
功率:115W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
导通电阻:5.7mΩ@45A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":5000}
规格型号(MPN):NTMFS4H01NFT3G
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:5538pF@12V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:54A€334A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G
阈值电压:4V@200µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.8W€150W
漏源电压:40V
连续漏极电流:43A€268A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
栅极电荷:82nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:5340pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NVB072N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:44A
漏源电压:650V
输入电容:330pF@400V
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
功率:312W
导通电阻:72mΩ@24A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:5780pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
连续漏极电流:41A€230A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
功率:3.13W€96W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G
阈值电压:4V@200µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.8W€150W
漏源电压:40V
连续漏极电流:43A€268A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
栅极电荷:82nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:5340pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H01NFT1G
工作温度:150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5538pF@12V
连续漏极电流:54A€334A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
阈值电压:4V@370A
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@60V
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€115W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:43A€241A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5862NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€115W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:43A€241A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€150W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@20V
连续漏极电流:43A€268A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5862NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: