品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":752,"22+":1878}
规格型号(MPN):FDD5680
功率:2.8W€60W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.5A
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:1835pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":2723728,"MI+":12000}
规格型号(MPN):FDMA6676PZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
功率:2.4W
输入电容:2160pF@15V
类型:P沟道
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NT1G
阈值电压:4V@190µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A€123A
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:3100pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:46nC@10V
功率:3.8W€136W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA6676PZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
功率:2.4W
输入电容:2160pF@15V
类型:P沟道
栅极电荷:46nC@10V
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
连续漏极电流:20A
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:52mΩ@20A,10V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
阈值电压:4V@190µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A€123A
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:3100pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:46nC@10V
功率:3.8W€136W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
阈值电压:4V@190µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A€123A
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:3100pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:46nC@10V
功率:3.8W€136W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
输入电容:2045pF@15V
类型:P沟道
连续漏极电流:8.5A€18A
栅极电荷:46nC@10V
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":2428}
规格型号(MPN):FDD5680
功率:2.8W€60W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.5A
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:1835pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
输入电容:2735pF@60V
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
连续漏极电流:11.6A€49A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
输入电容:2045pF@15V
类型:P沟道
连续漏极电流:8.5A€18A
栅极电荷:46nC@10V
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
功率:2.8W€60W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.5A
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:1835pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.9mΩ@18A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
输入电容:2820pF@15V
连续漏极电流:19A€42A
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
功率:2.5W€46W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2715pF@75V
连续漏极电流:9.6A€35A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: