品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
栅极电荷:6.7nC@10V
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
输入电容:250pF@25V
功率:43W
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7N20LTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
导通电阻:750mΩ@2.75A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9nC@5V
功率:2.5W€45W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
栅极电荷:6.7nC@10V
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
输入电容:250pF@25V
功率:43W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":800}
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB2614
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7230pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
栅极电荷:99nC@10V
功率:260W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:62A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
栅极电荷:6.7nC@10V
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
输入电容:250pF@25V
功率:43W
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5P20TM
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
功率:2.5W€45W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
功率:3.13W€140W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:89W
栅极电荷:40nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:125mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7N20LTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
导通电阻:750mΩ@2.75A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9nC@5V
功率:2.5W€45W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:15A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB52N20TM
导通电阻:49mΩ@26A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:63nC@10V
连续漏极电流:52A
漏源电压:200V
输入电容:2900pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2670
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3.6A,10V
功率:3.2W€70W
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:3.6A
输入电容:1228pF@100V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€55W
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€55W
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:15A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:15A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:89W
栅极电荷:40nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:125mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.575nF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
栅极电荷:6.7nC@10V
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
输入电容:250pF@25V
功率:43W
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":472}
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€55W
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB2614
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7230pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
栅极电荷:99nC@10V
功率:260W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:62A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:19A
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@9.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:3.13W€139W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:89W
栅极电荷:40nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:125mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.575nF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:89W
栅极电荷:40nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:125mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.575nF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€55W
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
栅极电荷:6.7nC@10V
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
输入电容:250pF@25V
功率:43W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:130mΩ@3A,10V
功率:2.5W
栅极电荷:43nC@10V
阈值电压:4.5V@250μA
输入电容:1.228nF@100V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: