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    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:5A

    栅极电荷:6.7nC@10V

    阈值电压:5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    输入电容:250pF@25V

    功率:43W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7N20LTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7N20LTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7N20LTM

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    导通电阻:750mΩ@2.75A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9nC@5V

    功率:2.5W€45W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.5A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:5A

    栅极电荷:6.7nC@10V

    阈值电压:5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    输入电容:250pF@25V

    功率:43W

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2614 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2614 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB2614

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7230pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@31A,10V

    栅极电荷:99nC@10V

    功率:260W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:62A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:5A

    栅极电荷:6.7nC@10V

    阈值电压:5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    输入电容:250pF@25V

    功率:43W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    栅极电荷:5.2nC@5V

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:850mA

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:310pF@25V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    栅极电荷:5.2nC@5V

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:850mA

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:310pF@25V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P20TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P20TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5P20TM

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    功率:2.5W€45W

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FQB19N20LTM

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:21A

    功率:3.13W€140W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2200pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@5V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:89W

    栅极电荷:40nC@10V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7N20LTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7N20LTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7N20LTM

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    导通电阻:750mΩ@2.75A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9nC@5V

    功率:2.5W€45W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.5A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订1250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订1250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    连续漏极电流:15A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB52N20TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB52N20TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB52N20TM

    导通电阻:49mΩ@26A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:357W

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:63nC@10V

    连续漏极电流:52A

    漏源电压:200V

    输入电容:2900pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    功率:3.2W€70W

    栅极电荷:43nC@10V

    连续漏极电流:3.6A

    输入电容:1228pF@100V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.5W€55W

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.5W€55W

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    连续漏极电流:15A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    连续漏极电流:15A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:89W

    栅极电荷:40nC@10V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.575nF@25V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:5A

    栅极电荷:6.7nC@10V

    阈值电压:5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    输入电容:250pF@25V

    功率:43W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订462个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订462个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":472}

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.5W€55W

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    栅极电荷:5.2nC@5V

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:850mA

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:310pF@25V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2614 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2614 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB2614

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7230pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@31A,10V

    栅极电荷:99nC@10V

    功率:260W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:62A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20CTM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20CTM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB19N20CTM

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:19A

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@9.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:3.13W€139W

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:89W

    栅极电荷:40nC@10V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.575nF@25V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:89W

    栅极电荷:40nC@10V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.575nF@25V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.5W€55W

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:5A

    栅极电荷:6.7nC@10V

    阈值电压:5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    输入电容:250pF@25V

    功率:43W

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS2670 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS2670 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2670

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:3A

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    功率:2.5W

    栅极电荷:43nC@10V

    阈值电压:4.5V@250μA

    输入电容:1.228nF@100V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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