采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：323}
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
栅极电荷：111nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：210A
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：3.5W€300W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W€125W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：14.5A€60A
输入电容：3135pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：3100pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8mΩ@20A，10V
连续漏极电流：16A€104A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3992
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
连续漏极电流：4.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
输入电容：1290pF@50V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14mΩ@9A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A€43A
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8090
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：13mΩ@10A，10V
输入电容：1800pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
功率：690mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：41268}
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：10A€50A
输入电容：1300pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：15mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160
输入电容：1290pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@9A，10V
类型：N沟道
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A€43A
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB3632
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：9mΩ@80A，10V
类型：N沟道
输入电容：6000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
连续漏极电流：12A€80A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
输入电容：210pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：1.6W
栅极电荷：5nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
输入电容：632pF@50V
功率：3W
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
栅极电荷：8.2nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：3.6A
输入电容：250pF@25V
功率：2.5W€25W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
连续漏极电流：151A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
类型：N沟道
阈值电压：4V@370µA
输入电容：6215pF@50V
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
漏源电压：100V
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS040N10MCLT1G
功率：3.5W€36W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A€21A
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
导通电阻：38mΩ@5A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3V@26µA
输入电容：500pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：11880，"23+"：10500}
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
栅极电荷：65nC@10V
连续漏极电流：17A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
类型：N沟道
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：4500pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD1600N10ALZ
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：225pF@50V
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
栅极电荷：3.61nC@10V
功率：14.9W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102LZ
输入电容：1290pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：24mΩ@6.5A，10V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@250µA
功率：2.3W€41W
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS7D8N10GTWG
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
输入电容：6180pF@50V
连续漏极电流：14A€110A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€187W
栅极电荷：92nC@10V
阈值电压：4V@254µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：7.6mΩ@48A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMC083NP10M5L
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：222pF@50V€525pF@50V
漏源电压：100V
功率：1.6W€3.1W
连续漏极电流：2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：7A€20A
输入电容：965pF@50V
阈值电压：4V@250µA
功率：2.3W€41W
导通电阻：24mΩ@7A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
栅极电荷：18nC@5V
输入电容：870pF@25V
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：65450}
规格型号(MPN)：BSS123
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：14pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：1.8nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS7D8N10GTWG
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
输入电容：6180pF@50V
连续漏极电流：14A€110A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€187W
栅极电荷：92nC@10V
阈值电压：4V@254µA
漏源电压：100V
导通电阻：7.6mΩ@48A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
功率：188W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
连续漏极电流：76A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：13mΩ@76A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：4500pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
输入电容：632pF@50V
功率：3W
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STTFS015N10MCL
导通电阻：12.9mΩ@14A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1338pF@50V
栅极电荷：19nC@10V
连续漏极电流：10A€42A
阈值电压：3V@77µA
功率：2.5W€45W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
输入电容：2015pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
栅极电荷：37nC@10V
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：3000}
规格型号(MPN)：FDMS86183
栅极电荷：14nC@6V
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1515pF@50V
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：51A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
