品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTSC1D5N08MC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:140nC@10V
阈值电压:4V@650µA
功率:3.3W€250W
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
连续漏极电流:33A€287A
输入电容:10400pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0150N80
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
功率:429W
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.4mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:235nC@20V
导通电阻:10mΩ@75A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:3750pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@45µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
功率:3.2W€68W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:25A€130A
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
栅极电荷:155nC@10V
输入电容:10680pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8280
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3050pF@40V
连续漏极电流:11A
功率:1W
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@11A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:15A€74A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@95µA
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
功率:3.7W€89W
ECCN:EAR99
输入电容:1640pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
输入电容:431pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
ECCN:EAR99
阈值电压:2V@20µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@210µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€113.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H854NLTAG
连续漏极电流:10A€41A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:17nC@10V
功率:3.2W€54W
阈值电压:2V@45µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:902pF@40V
导通电阻:13.4mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3580
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W(Ta)
导通电阻:29 毫欧 @ 7.6A,10V
漏源电压:80V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
输入电容:1800 pF @ 25 V
连续漏极电流:7.6A(Ta)
栅极电荷:46 nC @ 10 V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
连续漏极电流:8A€30A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€46W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:8.7nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@30µA
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0210N80
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H854NLTAG
连续漏极电流:10A€41A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:17nC@10V
功率:3.2W€54W
阈值电压:2V@45µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:902pF@40V
导通电阻:13.4mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
功率:57W
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@130µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86320
栅极电荷:41 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640 pF @ 40 V
漏源电压:80V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
导通电阻:11.7 毫欧 @ 10.7A,10V
类型:N 通道
功率:2.3W(Ta),40W(Tc)
连续漏极电流:10.7A(Ta),22A(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@45µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
功率:3.2W€68W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@45µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
功率:3.2W€68W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:66A
阈值电压:2.5V@120µA
输入电容:2940pF@40V
导通电阻:7mΩ@21A,10V
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86320
栅极电荷:41 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640 pF @ 40 V
漏源电压:80V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
导通电阻:11.7 毫欧 @ 10.7A,10V
类型:N 通道
功率:2.3W(Ta),40W(Tc)
连续漏极电流:10.7A(Ta),22A(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86340
输入电容:3885 pF @ 40 V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.3W(Ta),54W(Tc)
漏源电压:80V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
导通电阻:6.5 毫欧 @ 14A,10V
连续漏极电流:14A(Ta),48A(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53 nC @ 10 V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
阈值电压:2V@26µA
输入电容:521pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:10nC@10V
连续漏极电流:7A€25A
功率:3.2W€38W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1600,"23+":27500}
规格型号(MPN):FDD3510H
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道,共漏
漏源电压:80V
输入电容:800pF@40V
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.3A€2.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86366-F085
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
功率:300W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:220A
输入电容:6320pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: