采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS010N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€32W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：13A€43A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFET1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.70mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS002N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€85W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：27A€136A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS004N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS014P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€60W
阈值电压：2.4V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1734pF@20V
连续漏极电流：12.5A€52.1A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1532，"22+"：1796，"23+"：3287，"MI+"：1938}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0065N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：19A€82A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€146W
阈值电压：2.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@20V
连续漏极电流：45A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4213}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@25V
连续漏极电流：16A€50A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€245W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16013pF@20V
连续漏极电流：78.9A€554.5A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8840NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7535pF@20V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS002N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€85W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：27A€136A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C406NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€179W
阈值电压：2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：149nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@20V
连续漏极电流：53A€362A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3506，"22+"：2073}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0065N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2706}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
