采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3375-TL-W
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：295mΩ@10V，800mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：5000，"12+"：40000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1334-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：215mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：204675}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3360-TL-H
工作温度：150℃
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：303mΩ@800mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：4830，"11+"：615624}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH2825-TL-E
工作温度：-55℃~125℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@800mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：204675}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3360-TL-H
工作温度：150℃
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：303mΩ@800mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：5000，"12+"：40000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1334-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：215mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：4830，"11+"：615624}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH2825-TL-E
工作温度：-55℃~125℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@800mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：1.6A
输入电容：140pF@5V
功率：420mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3375-TL-W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：295mΩ@10V，800mA
漏源电压：30V
功率：800mW
连续漏极电流：1.6A
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
