采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：296，"16+"：25733}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：296，"16+"：25733}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：17109，"19+"：1001，"23+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：19373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1330-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：241mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：70000，"13+"：499326，"16+"：32500，"18+"：110000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1330-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：241mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：11698，"19+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH5839-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：266mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：17109，"19+"：1001，"23+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：28686}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG327N
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18487}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：296，"16+"：25733}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18487}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
