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    品牌: ON SEMI
    包装方式: 卷带(TR)
    集电极电流(Ic): 100mA
    直流增益(hFE@Ic,Vce): 160@5mA,10V
    当前匹配商品:500+
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    onsemi 数字晶体管 MUN5215T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5215T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi 数字晶体管 MUN5216T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5216T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":52320,"07+":18000,"08+":3000,"10+":72000,"13+":186000,"15+":108000,"16+":108000,"MI+":18000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MUN5215DW1T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5215DW1T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:70
    onsemi 数字晶体管 MMUN2116LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2116LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:55
    onsemi 数字晶体管 DTC144TT1
    onsemi 数字晶体管 DTC144TT1

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":14980}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MMUN2215LT1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2215LT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:400mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi 数字晶体管 DTA115TET1G
    onsemi 数字晶体管 DTA115TET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"13+":153000,"19+":27000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 DTA114TET1
    onsemi 数字晶体管 DTA114TET1

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":54000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8013
    onsemi 数字晶体管 MUN5316DW1T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5316DW1T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    onsemi 数字晶体管 MMUN2116LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2116LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi 数字晶体管 DTA143TET1G
    onsemi 数字晶体管 DTA143TET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:51
    onsemi 数字晶体管 MMUN2241LT1
    onsemi 数字晶体管 MMUN2241LT1

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"03+":2985,"05+":51000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MMUN2215LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2215LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:400mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi 数字晶体管 MUN2216T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN2216T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":24000,"07+":48000,"12+":27000,"13+":21000,"15+":39000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MUN5138T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5138T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"12+":6000,"13+":159000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 SMUN2216T1G
    onsemi 数字晶体管 SMUN2216T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"14+":51000,"16+":9000,"23+":24000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 DTC143TM3T5G
    onsemi 数字晶体管 DTC143TM3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi 数字晶体管 DTC143TM3T5G
    onsemi 数字晶体管 DTC143TM3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi 数字晶体管 MMUN2115LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2115LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:400mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    onsemi 数字晶体管 NSBA143TDXV6T5G
    onsemi 数字晶体管 NSBA143TDXV6T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":96000,"19+":8000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6511
    onsemi 数字晶体管 NSBC143TDXV6T1G
    onsemi 数字晶体管 NSBC143TDXV6T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"13+":48000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6460
    onsemi 数字晶体管 MUN5215DW1T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5215DW1T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:39
    onsemi 数字晶体管 MMUN2238LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2238LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"11+":1210895,"12+":24000,"13+":24000,"14+":87000,"15+":132000,"16+":69000,"17+":48000,"19+":9000,"9999":402}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MUN2115T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN2115T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"05+":42500,"09+":332200,"12+":108000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MUN5316DW1T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5316DW1T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi 数字晶体管 MMUN2215LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2215LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:400mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi 数字晶体管 MUN5216DW1T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5216DW1T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi 数字晶体管 MMUN2215LT1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2215LT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:400mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi 数字晶体管 MMUN2241LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2241LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":72000,"12+":207000,"19+":2899,"06+":30000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
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