品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"03+":7960,"05+":4000,"06+":12000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"07+":48000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":79831,"05+":104000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"19+":8000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"03+":8000,"04+":241338}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"06+":39761}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"03+":76000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"03+":164737}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":43990}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"03+":291710}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"03+":91950}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":4000,"05+":132788}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"06+":52000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"19+":8000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"12+":188000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧,10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"06+":1048000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V / 270 @ 10mA,2V
集电极电流(Ic):100mA,500mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V,12V
功率:500mW
晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧,10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"05+":4000,"13+":20000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存: