品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}
规格型号(MPN):ECH8419-TL-H
输入电容:960pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
漏源电压:35V
导通电阻:17mΩ@5A,10V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":76000}
规格型号(MPN):5LN01SS-TL-E
功率:150mW
栅极电荷:1.57nC@10V
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:50V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
输入电容:6.6pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":6000}
规格型号(MPN):EMH1405-TL-H
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:19mΩ@4A,10V
功率:1.5W
类型:N沟道
输入电容:820pF@10V
连续漏极电流:8.5A
栅极电荷:15nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":296,"16+":25733}
销售单位:个
包装规格(MPQ):700psc
规格型号(MPN):SFT1440-TL-E
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:8.1Ω@800mA,10V
功率:1W€20W
连续漏极电流:1.5A
输入电容:130pF@30V
栅极电荷:6.3nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1433-TL-W
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:150℃
输入电容:260pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:64mΩ@1.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":65450}
规格型号(MPN):BSS123
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:14pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:1.8nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":3140}
规格型号(MPN):2SK4065-DL-1EX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:12200pF@20V
栅极电荷:220nC@10V
连续漏极电流:100A
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
导通电阻:6mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:14pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:1.8nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H01NFT1G
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:5538pF@12V
连续漏极电流:54A€334A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:150℃
输入电容:27pF@25V
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2.4nC@10V
阈值电压:1.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":217616}
规格型号(MPN):NTTFS4H05NTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:3.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:18.9nC@10V
功率:2.66W€46.3W
输入电容:1205pF@12V
连续漏极电流:22.4A€94A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":4925,"15+":120000}
规格型号(MPN):EFC4615R-TR
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.3V@1mA
漏源电压:24V
功率:1.6W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:31mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}
规格型号(MPN):ATP202-TL-H
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:40W
输入电容:1650pF@10V
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50A
ECCN:EAR99
导通电阻:12mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:150℃
输入电容:27pF@25V
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2.4nC@10V
阈值电压:1.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):700psc
规格型号(MPN):SFT1431-TL-W
输入电容:960pF@20V
导通电阻:25mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:11A
阈值电压:2.6V@1mA
类型:N沟道
漏源电压:35V
功率:1W€15W
栅极电荷:17.3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3476-TL-W
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:150℃
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:1.3V@1mA
输入电容:128pF@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":113129,"19+":460000}
规格型号(MPN):5LN01C-TB-E
栅极电荷:1.57nC@10V
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:50V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
功率:250mW
输入电容:6.6pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":439,"19+":1600}
规格型号(MPN):2SK3816-DL-1E
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:1.65W€50W
导通电阻:26mΩ@20A,10V
输入电容:1780pF@20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:15pF@20V
栅极电荷:0.9nC@10V
连续漏极电流:270mA
导通电阻:8Ω@140mA,10V
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":19895}
规格型号(MPN):SCH1439-TL-W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:72mΩ@1.5A,10V
阈值电压:2.6V@1mA
类型:N沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":2850,"22+":46000}
规格型号(MPN):ATP202-TL-H
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:40W
输入电容:1650pF@10V
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50A
ECCN:EAR99
导通电阻:12mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:70W
输入电容:350pF@30V
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":5000}
规格型号(MPN):NTMFS4H01NFT3G
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:5538pF@12V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:54A€334A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":3000,"17+":12000}
规格型号(MPN):ATP201-TL-H
输入电容:985pF@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
功率:30W
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:70W
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:4000pF@20V
ECCN:EAR99
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":37900,"15+":2558,"17+":45041}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3486-TL-H
输入电容:310pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
栅极电荷:7nC@10V
导通电阻:137mΩ@1A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"01+":2856,"13+":6000}
规格型号(MPN):ATP203-TL-H
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:8.2mΩ@38A,10V
输入电容:2750pF@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
功率:50W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:150℃
输入电容:27pF@25V
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2.4nC@10V
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:19+
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:14pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:1.8nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}
规格型号(MPN):MCH3477-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:410pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
栅极电荷:5.1nC@4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存: