采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：665，"19+"：926，"MI+"：615}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：213}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG11N120CND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：1.3mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，11A
导通损耗：950µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：特殊晶体管
行业应用：其它
生产批次：{"21+"：6683，"22+"：4148，"MI+"：540}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NFA50460R4B
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU600N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4.5V@600µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：465pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3225pF@25V
连续漏极电流：20.6A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：80950，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL50T65MQD
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：32ns
关断损耗：700µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：94nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，50A
导通损耗：1.05mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：16500，"22+"：5040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU8P10TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：80}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH067N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5017pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：3150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SHDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：189ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：1.56mJ
开启延迟时间：55ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：126nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：1.06mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：9000}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：220nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7050，"9999"：284}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N62ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2917}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP75N03R
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€74.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：31714，"MI+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5426NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA38N30
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：312W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：38A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU360N65S3R0
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：10A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP100N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP5800
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9160pF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQDT
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：75ns
反向恢复时间：86ns
关断损耗：490µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：80nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
导通损耗：880µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：特殊晶体管
行业应用：其它
生产批次：{"18+"：180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FSB50660SFT
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：510W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：102A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：99A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF099N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
