品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":379064,"07+":16200,"08+":2662,"09+":4200}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD78N03-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€64W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@12V
连续漏极电流:11.4A€78A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@78A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":571,"19+":149}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP6030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":140,"04+":29100}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":1900,"MI+":980}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP90N02
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":121654}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP85N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@40A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":526735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":121654}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP85N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@40A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":204,"07+":34200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4302-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1200}
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76633P3-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@39A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3000,"11+":40625}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4302G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":7867}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP4302
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":6015,"MI+":1400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP85N03G
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@40A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":140,"04+":29100}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP85N03G
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@40A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD30N02G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@30A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4302G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4302G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP90N02
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:450nC@10V
包装方式:管件
输入电容:24740pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8447L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":1700}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB4302G
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3000,"11+":40625}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4302G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD30N02G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@30A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":204,"07+":34200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4302-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14428,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: