品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP060AN08A0
漏源电压:75V
导通电阻:6mΩ@80A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:16A€80A
输入电容:5150pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
ECCN:EAR99
功率:255W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP060AN08A0
漏源电压:75V
导通电阻:6mΩ@80A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:16A€80A
输入电容:5150pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
ECCN:EAR99
功率:255W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF035N06B-F154
连续漏极电流:88A
导通电阻:3.5mΩ@88A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:8030pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:46.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75842P3
连续漏极电流:43A
功率:230W
栅极电荷:175nC@20V
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
导通电阻:42mΩ@43A,10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP16N60N
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:199mΩ@8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:52.3nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
功率:134.4W
连续漏极电流:16A
输入电容:2170pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":31125,"17+":1650}
规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:114W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP2572
栅极电荷:34nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:54mΩ@9A,10V
功率:135W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA90N08
导通电阻:16mΩ@45A,10V
栅极电荷:110nC@10V
功率:214W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF045N10A
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@67A,10V
输入电容:5270pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP27P06
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
功率:120W
输入电容:1400pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF75344P3
功率:285W
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
导通电阻:8mΩ@75A,10V
输入电容:3200pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:210nC@20V
包装方式:管件
漏源电压:55V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
规格型号(MPN):NTY100N10G
功率:313W
输入电容:10110pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:350nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:123A
包装方式:管件
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":7971}
规格型号(MPN):FQU3N50CTU
栅极电荷:13nC@10V
漏源电压:500V
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:365pF@25V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:55A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1510pF@25V
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5426NG
功率:215W
输入电容:5800pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":17400,"17+":3075}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N550U1-1G
功率:94W
栅极电荷:18nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:8.2A
输入电容:540pF@50V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":19700,"17+":2100,"9999":375}
规格型号(MPN):NDD60N745U1-35G
连续漏极电流:6.6A
功率:84W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:745mΩ@3.25A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:440pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1245pF@25V
漏源电压:650V
包装方式:管件
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF75645P3
输入电容:3790pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:14mΩ@75A,10V
功率:310W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:238nC@20V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
导通电阻:15mΩ@50A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:50A
输入电容:1440pF@50V
功率:91W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
包装方式:管件
栅极电荷:130nC@20V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP50N06
输入电容:2020pF@25V
功率:131W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:150nC@20V
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:22mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
规格型号(MPN):NTY100N10G
功率:313W
输入电容:10110pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:350nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:123A
包装方式:管件
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP6412ANG
栅极电荷:100nC@10V
功率:167W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:3500pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP50N06
输入电容:2020pF@25V
功率:131W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:150nC@20V
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:22mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"05+":3148}
规格型号(MPN):NTD24N06-1G
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:1200pF@25V
ECCN:EAR99
功率:1.36W€62.5W
导通电阻:42mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"9999":772}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1245pF@25V
漏源电压:650V
包装方式:管件
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"MI+":5040}
规格型号(MPN):IRFU220BTU-AM002
输入电容:390pF@25V
导通电阻:800mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€40W
类型:N沟道
连续漏极电流:4.6A
包装方式:管件
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP27P06
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
功率:120W
输入电容:1400pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存: