品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1500,"11+":75,"14+":40597,"16+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N60Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1500,"11+":75,"14+":40597,"16+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N60Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1500,"11+":75,"14+":40597,"16+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N60Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N60Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
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包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N60Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:235pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@950mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:235pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@950mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@950mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@950mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FQU2N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:235pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@950mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N60CTU
连续漏极电流:1.9A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@950mA,10V
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:235pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
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