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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5420，"19+"：13500，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：381，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：22A
类型：N沟道
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漏源电压：500V
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包装方式：管件
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连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
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规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
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功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
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漏源电压：500V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：381，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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