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包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：TIP107G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
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晶体管类型：NPN
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
ECCN：EAR99
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
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规格型号(MPN)：TIP102G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：TIP102G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
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包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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集电集截止电流(Icbo)：50µA
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晶体管类型：PNP
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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集电集截止电流(Icbo)：50µA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
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规格型号(MPN)：TIP107G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
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规格型号(MPN)：TIP102G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
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