采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：665，"19+"：926，"MI+"：615}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP100N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：238nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3790pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7810}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15265pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：238nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3790pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：20+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP33N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：127W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800，"9999"：48}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19447，"9999"：997，"MI+"：3000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP4D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€150W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5065pF@50V
连续漏极电流：128A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP090N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8225pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
