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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI8N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI8N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
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栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：750，"9999"：347}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4088LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€37W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
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漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
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包装方式：管件
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导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
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功率：147W
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类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI8N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI8N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€147W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：4800，"MI+"：197}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQP8N60C
类型：1个N沟道
栅极电荷：36nC@10V
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
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ECCN：EAR99
连续漏极电流：7.5A
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI8N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：750，"9999"：347}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4088LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€37W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：750，"9999"：347}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4088LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€37W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：750，"9999"：347}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4088LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€37W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4088LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€37W
栅极电荷：37.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4088LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€37W
栅极电荷：37.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.255nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，3.75A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
