品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU3N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:565pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU3N60CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:565pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":6909}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
规格型号(MPN):FQPF19N20
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
输入电容:1600pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
功率:50W
包装方式:管件
ECCN:EAR99
连续漏极电流:11.8A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9P25YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:620mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9P25YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:620mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9P25YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:620mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: