包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDV64BG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@20mA,5A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147FTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDV64BG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@20mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDV64BG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@20mA,5A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存: