采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
漏源电压：75V
导通电阻：6mΩ@80A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：16A€80A
输入电容：5150pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
功率：255W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"03+"：1445，"04+"：1534，"05+"：44100，"06+"：30270，"07+"：230625，"08+"：139，"10+"：3000，"9999"：4900，"MI+"：11653}
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD60N02R-1G
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：14nC@4.5V
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：8.5A€32A
功率：1.25W€58W
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
漏源电压：75V
导通电阻：6mΩ@80A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：16A€80A
输入电容：5150pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
功率：255W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：590，"08+"：3075}
规格型号(MPN)：NTD4810NH-1G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：管件
功率：1.28W€50W
连续漏极电流：9A€54A
导通电阻：10mΩ@30A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：1225pF@12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：3908，"09+"：10547}
规格型号(MPN)：NTD4813NH-35G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：13mΩ@30A，10V
输入电容：940pF@12V
包装方式：管件
连续漏极电流：7.6A€40A
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：1.27W€35.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP053N08B-F102
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：5960pF@40V
导通电阻：5.3mΩ@75A，10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：75A
栅极电荷：85nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
功率：146W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF035N06B-F154
连续漏极电流：88A
导通电阻：3.5mΩ@88A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：8030pF@30V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
功率：46.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75842P3
连续漏极电流：43A
功率：230W
栅极电荷：175nC@20V
类型：N沟道
输入电容：2730pF@25V
导通电阻：42mΩ@43A，10V
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP2572
栅极电荷：34nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：54mΩ@9A，10V
功率：135W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：4A€29A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N08
导通电阻：16mΩ@45A，10V
栅极电荷：110nC@10V
功率：214W
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3250pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：NTHL025N065SC1
连续漏极电流：99A
输入电容：3480pF@325V
阈值电压：4.3V@15.5mA
类型：N沟道
栅极电荷：164nC@18V
功率：348W
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
包装方式：管件
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF4D5N10C
阈值电压：4V@310µA
输入电容：5065pF@50V
类型：N沟道
栅极电荷：68nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
功率：2.4W€37.5W
连续漏极电流：128A
漏源电压：100V
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
输入电容：5270pF@50V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
功率：43W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：HUF75344P3
功率：285W
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
导通电阻：8mΩ@75A，10V
输入电容：3200pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：210nC@20V
包装方式：管件
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP8896
漏源电压：30V
输入电容：2525pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
包装方式：管件
连续漏极电流：16A€92A
导通电阻：5.9mΩ@35A，10V
栅极电荷：67nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA46N15
栅极电荷：110nC@10V
功率：250W
类型：N沟道
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
导通电阻：42mΩ@25A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3250pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD4909N-35G
漏源电压：30V
导通电阻：8mΩ@30A，10V
输入电容：1314pF@15V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：8.8A€41A
功率：1.37W€29.4W
栅极电荷：17.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5426NG
功率：215W
输入电容：5800pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：120A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1762pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
功率：319W
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP4D5N10C
功率：2.4W€150W
阈值电压：4V@310µA
输入电容：5065pF@50V
类型：N沟道
栅极电荷：68nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
连续漏极电流：128A
漏源电压：100V
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：3908，"09+"：10547}
规格型号(MPN)：NTD4813NH-35G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：13mΩ@30A，10V
输入电容：940pF@12V
包装方式：管件
连续漏极电流：7.6A€40A
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：1.27W€35.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L045N065SC1
栅极电荷：105nC@18V
类型：N沟道
连续漏极电流：55A
输入电容：1870pF@325V
导通电阻：50mΩ@25A，18V
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
包装方式：管件
阈值电压：4.3V@8mA
功率：187W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-001
栅极电荷：13.2nC@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：10A€32A
漏源电压：25V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
导通电阻：8mΩ@20A，10V
输入电容：1333pF@20V
功率：1.36W€62.5W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL020N090SC1
导通电阻：28mΩ@60A，15V
漏源电压：900V
输入电容：4415pF@450V
栅极电荷：196nC@15V
阈值电压：4.3V@20mA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：118A
包装方式：管件
功率：503W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF2D3N10C
栅极电荷：152nC@10V
功率：45W
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
阈值电压：4V@700µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
生产批次：{"09+"：7400，"12+"：300，"15+"：15600}
规格型号(MPN)：NTD4909N-35G
漏源电压：30V
导通电阻：8mΩ@30A，10V
输入电容：1314pF@15V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：8.8A€41A
功率：1.37W€29.4W
栅极电荷：17.5nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"07+"：10425}
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD4855N-1G
栅极电荷：32.7nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：14A€98A
漏源电压：25V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：2950pF@12V
包装方式：管件
功率：1.35W€66.7W
ECCN：EAR99
导通电阻：4.3mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：HUF75645P3
输入电容：3790pF@25V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：14mΩ@75A，10V
功率：310W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：238nC@20V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
导通电阻：15mΩ@50A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：50A
输入电容：1440pF@50V
功率：91W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
连续漏极电流：54A
输入电容：1700pF@800V
栅极电荷：75nC@18V
功率：231W
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：54mΩ@20A，18V
包装方式：管件
阈值电压：4.4V@10mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
