采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP20N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.08nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP12N50NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.235nF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.86nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：265mΩ@10V，9A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP20N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.08nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF16N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37.9W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.25nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FCP20N60
连续漏极电流：20A
输入电容：3.08nF@25V
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
栅极电荷：98nC@10V
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
漏源电压：500V
导通电阻：200mΩ@12A，10V
类型：1个N沟道
输入电容：4.31nF@25V
栅极电荷：85nC@10V
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
连续漏极电流：24A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
