采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1025P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSN1N45BTA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW（Ta）
阈值电压：3.7V @ 250µA
栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：240 pF @ 25 V
连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.25 欧姆 @ 250mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：J211-D74Z
功率：25V
包装方式：剪切带（CT）
连续漏极电流：25V
类型：N 通道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4488
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB5404NT4G
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1025P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB5404NT4G
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSP13TA
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB5404NT4G
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D75Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：J211-D74Z
功率：25V
包装方式：剪切带（CT）
连续漏极电流：25V
类型：N 通道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB5404NT4G
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：J211-D74Z
功率：25V
包装方式：剪切带（CT）
连续漏极电流：25V
类型：N 通道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSN1N45BTA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW（Ta）
阈值电压：3.7V @ 250µA
栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：240 pF @ 25 V
连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.25 欧姆 @ 250mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSP13TA
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSP13TA
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：492}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB5404NT4G
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
