品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":18000,"06+":21000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"14+":317830}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:254mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:21+
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:21+
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:338mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:21+
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存: