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    品牌: ON SEMI
    直流增益(hFE@Ic,Vce): 100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V
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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:13千欧,130欧姆

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:285mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V

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    输入电阻:13千欧,130欧姆

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    功率:285mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

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    输入电阻:13千欧,130欧姆

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:285mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订6个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

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    电阻比:10千欧

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    功率:285mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订3000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

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    输入电阻:13千欧,130欧姆

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:285mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订6个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

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    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

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    功率:285mW

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

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    功率:285mW

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

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    功率:285mW

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

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    电阻比:10千欧

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    输入电阻:13千欧,130欧姆

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    功率:285mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

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    功率:285mW

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订66000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订3000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

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    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:13千欧,130欧姆

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    功率:285mW

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:13千欧,130欧姆

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订6个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:13千欧,130欧姆

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    集射极击穿电压(Vceo):50V

    电阻比:10千欧

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订21000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

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    集电极电流(Ic):500mA

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    功率:285mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订30000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

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    集电极电流(Ic):500mA

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订6000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

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    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

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    集电极电流(Ic):500mA

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订9000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订3000个装
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    品牌:ON SEMI

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    电阻比:10千欧

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    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:13千欧,130欧姆

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:285mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订9000个装
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    品牌:ON SEMI

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    行业应用:工业,其它

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:13千欧,130欧姆

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:285mW

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    onsemi 数字晶体管 NSVIMD10AMT1G 起订15000个装
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