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    品牌: ON SEMI
    直流增益(hFE@Ic,Vce): 3 @ 5mA,10V
    当前匹配商品:8
    商品信息
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    onsemi 数字晶体管 NSBA113EDXV6T1 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA113EDXV6T1 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":44000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:1千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EDXV6T1 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EDXV6T1 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"05+":36000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:1千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订6460个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订6460个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:1千欧

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订6460个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订6460个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"15+":192000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:1千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订4000个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:1千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订100000个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订100000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:1千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订8000个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:1千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订12000个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC113EPDXV6T1G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    功率:500mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    输入电阻:1千欧

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    电阻比:1千欧

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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