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    品牌: ON SEMI
    直流增益(hFE@Ic,Vce): 80@5mA,10V
    当前匹配商品:3300+
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    onsemi 数字晶体管 NSBC123JDXV6T5G 起订6511个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC123JDXV6T5G 起订6511个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"22+":8000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA144WET1G 起订13个装
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA144WET1G 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G 起订96个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G 起订96个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5233T1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5233T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YF3T5G 起订8362个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YF3T5G 起订8362个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":152000,"11+":98746}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:254mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5314DW1T1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5314DW1T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YDP6T5G 起订7103个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YDP6T5G 起订7103个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"20+":7850}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:339mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA114YDXV6T1G 起订6460个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA114YDXV6T1G 起订6460个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":31650,"08+":28000,"11+":76000,"13+":36000,"19+":56000,"20+":8000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMUN2213T1G 起订13个装
    onsemi 数字晶体管 SMUN2213T1G 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVDTC144WET1G 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 NSVDTC144WET1G 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":93000,"21+":2900}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5214DW1T1G 起订52个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5214DW1T1G 起订52个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5133DW1T1G 起订18个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5133DW1T1G 起订18个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA144EDP6T5G 起订5953个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA144EDP6T5G 起订5953个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"08+":140875,"11+":24000,"14+":68728,"15+":56000,"18+":72000,"20+":24000,"23+":64000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:408mW

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2233LT1G 起订35个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2233LT1G 起订35个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5113T3G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5113T3G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"16+":150000,"17+":50000,"19+":9850}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC115EDXV6T1G 起订6460个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC115EDXV6T1G 起订6460个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"05+":35990,"06+":48000,"08+":24000,"13+":200}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5333DW1T1G 起订4773个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5333DW1T1G 起订4773个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"14+":12851,"22+":21000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G 起订69个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G 起订69个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5214T1G 起订58个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5214T1G 起订58个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA144WM3T5G 起订11364个装
    onsemi 数字晶体管 DTA144WM3T5G 起订11364个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":85500,"08+":7973,"11+":21000,"15+":19000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5113T1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5113T1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"11+":11766,"12+":27000,"13+":74000,"14+":5000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVDTC123JET1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVDTC123JET1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2235LT1G 起订36个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2235LT1G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVDTC143ZM3T5G 起订9个装
    onsemi 数字晶体管 NSVDTC143ZM3T5G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YF3T5G 起订9个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YF3T5G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:254mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2236LT1G 起订15个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2236LT1G 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTC143ZM3T5G 起订10个装
    onsemi 数字晶体管 DTC143ZM3T5G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2214LT1G 起订57个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2214LT1G 起订57个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2213JT1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2213JT1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":66000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2134LT1G 起订47个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2134LT1G 起订47个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

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