品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧,10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧,4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1 NPN,1 PNP - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧,10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧,4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1 NPN,1 PNP - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
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分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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集电集截止电流(Icbo):500nA
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ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1 NPN,1 PNP - 预偏置
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集电集截止电流(Icbo):500nA
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ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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功率:150mW
晶体管类型:1 NPN,1 PNP - 预偏置
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直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
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直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
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直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
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直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
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直流增益(hFE@Ic,Vce):20 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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集射极击穿电压(Vceo):50V
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