销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧，10千欧

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集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧，4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1 NPN，1 PNP - 预偏置

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销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

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功率：150mW

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包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

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销售单位：个

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销售单位：个

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销售单位：个

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销售单位：个

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晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

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销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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