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销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：47kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
销售单位：个
功率：246mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
输入电阻：4.7kOhms
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
晶体管类型：PNP - 预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：47kOhms
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
