包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6387G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJF6388G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6387G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD44E3T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6387G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD44E3T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147TU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJF6388G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDX33BG

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：70W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@6mA，3A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDX33CG

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：70W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@6mA，3A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147TU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD44E3T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD44E3T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6387G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@10A，40mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，5A

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：20，"10+"：86，"11+"：260，"12+"：100，"13+"：230，"15+"：133，"MI+"：606}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD44E3T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V

包装清单：商品主体 * 1