销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP107G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP102G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

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晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

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集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

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ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

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集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP107G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

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包装方式：管件

晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

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晶体管类型：NPN

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

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晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP102G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6045G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDX53CG

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：65W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6045G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1