采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD117T4G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：2A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：20µA
特征频率：25MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V
包装清单：商品主体 * 1
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：2A
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A
ECCN：EAR99
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集电极电流(Ic)：2A
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V
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集电集截止电流(Icbo)：20µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：2A
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集电集截止电流(Icbo)：20µA
特征频率：25MHz
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A
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集电极电流(Ic)：2A
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集电集截止电流(Icbo)：20µA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A
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分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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行业应用：汽车,工业
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集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：2A
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