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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"05+"：3000，"08+"：57000，"MI+"：1339}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
集射极击穿电压(Vceo)：30V
功率：3W
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：110MHz
功率：720mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：110MHz
功率：720mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：110MHz
功率：720mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
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输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：110MHz
功率：720mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"12+"：750，"17+"：4000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：110MHz
功率：720mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"05+"：3000，"08+"：57000，"MI+"：1339}
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
集射极击穿电压(Vceo)：30V
功率：3W
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
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集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：110MHz
功率：720mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
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集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：110MHz
功率：720mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"21+"：1725}
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A
ECCN：EAR99
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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集电极电流(Ic)：3A
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集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：110MHz
功率：720mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
集射极击穿电压(Vceo)：30V
功率：3W
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"21+"：1725}
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
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集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
集射极击穿电压(Vceo)：30V
功率：3W
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：110MHz
功率：720mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"12+"：750，"17+"：4000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：110MHz
功率：720mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：1.3W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
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工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V
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库存：
生产批次：{"21+"：1725}
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
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工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V
包装清单：商品主体 * 1
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