品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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销售单位:个
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ECCN:EAR99
包装方式:管件
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类型:场截止
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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销售单位:个
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包装方式:管件
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分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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分类:IGBT
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分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":3550}
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SHDF-F155
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":3550}
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销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SHDF-F155
ECCN:EAR99
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
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分类:IGBT
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":3550}
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销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SHDF-F155
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包装方式:管件
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栅极电荷:68nC
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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规格型号(MPN):FGH40T65SHDF-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SHDF-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:64ns
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集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:68nC
类型:场截止
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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规格型号(MPN):FGA40S65SH
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:68.8ns
关断损耗:388µJ
开启延迟时间:19.2ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:73nC
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SHDF-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:101ns
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开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:68nC
类型:场截止
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导通损耗:1.22mJ
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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规格型号(MPN):FGA40S65SH
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栅极电荷:73nC
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA40S65SH
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集电极脉冲电流(Icm):120A
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关断损耗:388µJ
集电极截止电流(Ices):650V
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开启延迟时间:19.2ns
包装方式:管件
关断延迟时间:68.8ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SHDF-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:68nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.81V@15V,40A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":900,"MI+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA40T65SHDF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:68nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.81V@15V,40A
导通损耗:1.22mJ
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA40T65SHDF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:68nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.81V@15V,40A
导通损耗:1.22mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA40T65SHDF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:440µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:68nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.81V@15V,40A
导通损耗:1.22mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: