销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：405000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：96000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1111-AA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：700mA

功率：600mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@100μA，100mA

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@50mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：10453，"22+"：6623，"23+"：2905}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：63825，"MI+"：15000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10kOhms

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：10453，"22+"：6623，"23+"：2905}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1