采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：405000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：96000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SD1111-AA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：700mA
功率：600mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@100μA，100mA
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@50mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
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规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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功率：625mW
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
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晶体管类型：PNP
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集电极电流(Ic)：1A
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
特征频率：200MHz
集电集截止电流(Icbo)：100nA
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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生产批次：{"13+"：96000}
规格型号(MPN)：2SD1111-AA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@50mA，2V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@100μA，100mA
特征频率：200MHz
集电集截止电流(Icbo)：100nA
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集电极电流(Ic)：700mA
功率：600mW
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：96000}
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规格型号(MPN)：2SD1111-AA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：700mA
功率：600mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@100μA，100mA
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@50mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
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