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    品牌: ON SEMI
    集射极击穿电压(Vceo): 50V
    晶体管类型: 1个PNP-预偏置
    包装方式: 卷带(TR)
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    onsemi 数字晶体管 MUN5113T3G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5113T3G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"16+":150000,"17+":50000,"19+":9850}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订24个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

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    集电极电流(Ic):100mA

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    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订24个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

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    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

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    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

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    onsemi 数字晶体管 MUN5113T3G 起订13889个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订9000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

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    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

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    onsemi 数字晶体管 MUN5130T1G 起订13889个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 MUN5130T1G 起订13889个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    功率:202mW

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 MUN5130T1G 起订13889个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":195000,"12+":105000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

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    功率:202mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 MUN5113T3G 起订13889个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"16+":150000,"17+":50000,"19+":9850}

    销售单位:

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    功率:202mW

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    功率:246mW

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订15个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

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    功率:246mW

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订15个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

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    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

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    功率:246mW

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2134LT1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2134LT1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订6000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订21000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订21000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订150000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2136LT1G 起订150000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA114YF3T5G 起订41000个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA114YF3T5G 起订41000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    功率:254mW

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

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