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    品牌
    集射极击穿电压(Vceo)
    15V
    行业应用
    品牌: ON SEMI
    集射极击穿电压(Vceo): 15V
    当前匹配商品:3
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    onsemi 数字晶体管 IMH20TR1G 起订3704个装
    onsemi 数字晶体管 IMH20TR1G 起订3704个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":2925,"07+":174000,"09+":3000,"16+":36000,"21+":27000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):80mV @ 2.5mA,50mA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 50mA,5V

    集电极电流(Ic):600mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):15V

    功率:300mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 IMH20TR1G 起订5000个装
    onsemi 数字晶体管 IMH20TR1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):80mV @ 2.5mA,50mA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 50mA,5V

    集电极电流(Ic):600mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):15V

    功率:300mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi 数字晶体管 IMH20TR1G 起订5000个装
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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):80mV @ 2.5mA,50mA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

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    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):15V

    功率:300mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

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