品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧,47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧,2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:385mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
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ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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功率:385mW
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
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晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
功率:385mW
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ECCN:EAR99
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晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
输入电阻:47千欧,2.2千欧
电阻比:47千欧,47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧,47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧,2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:385mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
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