品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP52N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€70W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB12P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€120W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:470mΩ@5.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLS640A
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:40W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:1705 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:180 毫欧 @ 4.9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:19.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":895,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF5P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@1.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"23+":1600,"MI+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB52N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: