品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:27nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:8.4A€32A
输入电容:2380pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS014P04M8LTAG
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
连续漏极电流:11.3A€49A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1734pF@20V
类型:P沟道
功率:3.2W€61W
阈值电压:2.4V@420µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}
包装规格(MPQ):700psc
规格型号(MPN):SFT1350-TL-H
包装方式:卷带(TR)
功率:1W€23W
工作温度:150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:19A
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:59mΩ@9.5A,10V
输入电容:590pF@20V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
连续漏极电流:11.3A€49A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1734pF@20V
类型:P沟道
功率:3.2W€61W
ECCN:EAR99
阈值电压:2.4V@420µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS025P04M8LTWG
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
漏源电压:40V
功率:3.8W€44.1W
阈值电压:3V@255µA
连续漏极电流:9.4A€32A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:6.7A€14A
功率:42W
输入电容:1550pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:27nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
输入电容:1872pF@20V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:6.7A€14A
功率:42W
输入电容:1550pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:6.7A€14A
功率:42W
输入电容:1550pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS052P04M8LTAG
功率:2.9W€23W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:69mΩ@5A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:6.3nC@10V
输入电容:424pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.4V@95µA
连续漏极电流:4.7A€13.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.4A€34.6A
漏源电压:40V
功率:3.5W€44.1W
导通电阻:23mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.4V@255µA
类型:P沟道
输入电容:1058pF@20V
栅极电荷:16.3nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9503L-F085
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
输入电容:8320pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
功率:333W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141-F085
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:50nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@12.7A,10V
连续漏极电流:10.8A€50A
输入电容:2775pF@20V
阈值电压:3V@250µA
功率:2.4W€69W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":5000,"24+":5000}
规格型号(MPN):NVMFS5A140PLZT3G
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
输入电容:7400pF@20V
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:20A€140A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.4A€34.6A
漏源电压:40V
功率:3.5W€44.1W
导通电阻:23mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.4V@255µA
类型:P沟道
输入电容:1058pF@20V
栅极电荷:16.3nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS9D6P04M8LTAG
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€75W
漏源电压:40V
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:34.6nC@10V
输入电容:2312pF@20V
阈值电压:2.4V@580µA
类型:P沟道
连续漏极电流:13A€64A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS014P04M8LT1G
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A€52.1A
漏源电压:40V
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
功率:3.6W€60W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1734pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.4V@420µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9510L-F085
输入电容:2320pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:75W
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
输入电容:2020pF@20V
阈值电压:3V@250µA
功率:75W
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
输入电容:3850pF@20V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
功率:60W
栅极电荷:79.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
连续漏极电流:11.3A€49A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1734pF@20V
类型:P沟道
功率:3.2W€61W
阈值电压:2.4V@420µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS014P04M8LTAG
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
连续漏极电流:11.3A€49A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1734pF@20V
类型:P沟道
功率:3.2W€61W
ECCN:EAR99
阈值电压:2.4V@420µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9509L-F085
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
漏源电压:40V
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@70A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS2D3P04M8LT1G
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.8W€205W
输入电容:5985pF@20V
漏源电压:40V
连续漏极电流:31A€222A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
阈值电压:2.4V@2.7mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€61W
阈值电压:2.4V@420µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:11.3A€49A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:8.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: