采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF20N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF13N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDL100N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：2500W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@50A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF20N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350，"11+"：659500，"14+"：3075，"16+"：2400}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD05N50Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5420，"19+"：13500，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N50CTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N50T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.86nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：265mΩ@10V，9A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：68790，"14+"：189550}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：306}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF20N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000，"22+"：8000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI13N50CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：195W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA13N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：218W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：381，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB12N50TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：165W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
