品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":350,"11+":659500,"14+":3075,"16+":2400}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1906,"16+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:274pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":9876,"11+":4050,"12+":4300,"14+":28950,"15+":1200,"16+":118654,"17+":29416,"9999":299,"MI+":10850}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":284034,"13+":261755,"18+":500,"9999":215}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1906,"16+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:274pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":9876,"11+":4050,"12+":4300,"14+":28950,"15+":1200,"16+":118654,"17+":29416,"9999":299,"MI+":10850}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1475,"12+":18761}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":23400,"14+":2400,"17+":2475}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1475,"12+":18761}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":350,"11+":659500,"14+":3075,"16+":2400}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":284034,"13+":261755,"18+":500,"9999":215}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":23400,"14+":2400,"17+":2475}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":284034,"13+":261755,"18+":500,"9999":215}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NDF05N50ZH
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
栅极电荷:28nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
输入电容:632pF@25V
包装方式:管件
功率:30W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1906,"16+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:58W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:274pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: