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    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 1700V
    当前匹配商品:10+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订20个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订20个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:81A(Tc)

    栅极电荷:200 nC @ 20 V

    功率:535W(Tc)

    阈值电压:4.3V @ 20mA

    导通电阻:40 毫欧 @ 60A,20V

    输入电容:4230 pF @ 800 V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    类型:N 通道

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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