采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
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规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：1.6W
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连续漏极电流：10A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1.6W
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1.6W
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连续漏极电流：10A
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.6W
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导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.6W
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连续漏极电流：10A
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导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：10A
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导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
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规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
阈值电压：1.3V@1mA
类型：2个N沟道
漏源电压：20V
功率：1.6W
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：700mA
输入电容：113pF@10V
栅极电荷：1.4nC@4.5V
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，700mA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
功率：600mW
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4.2nC@4.5V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
功率：600mW
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4.2nC@4.5V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
