品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ197PZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.9W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:25 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:64 毫欧 @ 2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ197PZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.9W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:25 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:64 毫欧 @ 2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:28 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240 pF @ 15 V
连续漏极电流:5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:18 毫欧 @ 7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 6.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:900mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310 pF @ 10 V
连续漏极电流:9.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
输入电容:405pF @ 10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
输入电容:405pF @ 10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
输入电容:405pF @ 10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
输入电容:405pF @ 10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
输入电容:405pF @ 10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
输入电容:405pF @ 10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
功率:2.1W(Ta)
连续漏极电流:6A(Ta)
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:1490 pF @ 10 V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
功率:2.1W(Ta)
连续漏极电流:6A(Ta)
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:1490 pF @ 10 V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:600mW
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
输入电容:405pF @ 10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
功率:2.1W(Ta)
连续漏极电流:6A(Ta)
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:1490 pF @ 10 V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: