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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ375P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.7W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：78 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ375P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.7W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：78 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHC5513T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：2.9A，2.2A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.13W
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：4nC @ 4.5V
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.13W
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：4nC @ 4.5V
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ375P
类型：P 通道
功率：1.7W（Ta）
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
输入电容：865 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
导通电阻：78 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2213
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W（Tj）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Tj）
类型：P 通道
导通电阻：155 毫欧 @ 2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2213
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W（Tj）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Tj）
类型：P 通道
导通电阻：155 毫欧 @ 2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ375P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.7W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：78 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ375P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.7W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：78 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1993，"10+"：414，"13+"：60}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4508NT1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.13W
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2213
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W（Tj）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Tj）
类型：P 通道
导通电阻：155 毫欧 @ 2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHC5513T1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF @ 10V
栅极电荷：4nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.9A，2.2A
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 和 P 沟道
功率：1.1W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
阈值电压：1.2V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
